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乐竞体育官网【硬件资讯】存储器领域有新变化?美光进一步加强HBM3E性能!三星带来更大QLC!PCIe 50慧荣不再掉队?发布日期:2024-10-07 17:29:07 浏览次数:

  美光 宣布 ,推出12层垂直堆叠的HBM3E,拥有36GB容量,面向用于人工智能(AI)和高性能计算(HPC)工作负载,比如英伟达H200与B100/B200 GPU产品。美光表示,相比于年初量产的8层垂直堆叠的HBM3E,在给定的堆栈高度下,新产品无论堆叠层数还是容量都增加了50%,满足了更大的AI模型运行的需求,避免了多处理器运行带来的延迟问题。

  美光提供的HBM3E产品拥有16个独立的高频数据通道,乐竞体育官网采用了1β(1-beta)工艺打造,封装规格为11mm x 11mm,堆叠12层的24Gb裸片,提供了36GB容量,带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s。美光将硅通孔(TSV)增加了一倍,封装互连缩小了25%,功耗比起竞品降低了30%。美光凭借先进CMOS技术创新,结合先进的封装技术,提供了改善热阻抗的结构解决方案,有助于改善立方体的整体散热表现,加上大幅度降低的功耗,为客户提供了功耗更低、散热效率更高的HBM3E产品。乐竞体育官网

  台积电生态系统和联盟管理负责人Dan Kochpatcharin表示:“台积电和美光一直保持着长期的战略合作伙伴关系。作为OIP生态系统的一部分,我们密切合作,让美光基于HBM3E的系统和CoWoS封装设计能够支持客户的人工智能创新。”

  目前美光正在向主要行业合作伙伴运送量产型的12层垂直堆叠HBM3E,用于整个人工智能生态系统的测试,以便获得相关的资格认证。与此同时,美光已经在开发下一代的解决方案,包括HBM4和HBM4E,继续突破DRAM性能界限,确保美光的产品可以满足AI芯片对日益增长的内存性能需求,以保持行业领先地位。

  之前我们说过,在AI时代,HBM内存就是存储器市场的顶峰,而HBM3E就是目前这个顶峰上最闪亮的桂冠!如今,美光令这顶桂冠更闪亮了几分,虽然在入局上晚于SK海力士,但是HBM3E的几次大进步都有美光的身影,美光再次刷新了HBM3E内存的单片容量和带宽上限,为AI芯片带来了更强大的存储器支持,我们惊喜于美光的进步,不知道下一次的突破会是又谁主导呢?

  新 闻 2: 三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产其首款1Tb QLC闪存,计划扩大应用范围

  今年4月,三星 正式 开始量产第9代V- NAND闪存 ,首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存,进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星 启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作,属于其首款1Tb的QLC(四层单元)闪存,进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

  三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示:“在距上次TLC版本量产仅四个月后,第9代V-NAND QLC闪存产品成功启动量产,使我们能够提供,能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势,对人工智能应用的需求更加强劲,我们将通过QLC和TLC第9代V-NAND闪存继续巩固三星在该领域的市场地位。”

  第9代V-NAND QLC闪存综合运用多项创新成果,实现了多项技术突破,包括:

  通道孔蚀刻技术(Channel Hole Etching) - 能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在第9代V-NAND TLC中积累的技术经验,优化了存储单元面积及外围电路,位密度比上一代V-NAND QLC闪存提升约86%。

  预设模具(Designed Mold)技术 - 能够调整控制存储单元的字线(WL)间距,确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致,达到最佳效果。V-NAND层数越多,存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%,增强了产品的可靠性。

  预测程序(Predictive Program)技术 - 能够预测并控制存储单元的状态变化,尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星第9代V-NAND QLC的写入性能翻倍,数据输入/输出速度提升60%。

  低功耗设计(Low-Power Design)技术 - 使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压,能够仅感测必要的位线(BL),从而尽可能减少功耗。

  三星计划扩大第9代V-NAND QLC闪存的应用范围,从品牌消费类产品开始,扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

  三星虽然在HBM内存领域上落后了,但在传统的NAND存储器领域依旧是技术储备最足的一个,这不,乐竞体育官网三星再次刷新了SK海力士此前创下的NAND闪存容量记录。我们之前一直都吐槽QLC的各种不好,这些缺点并没有随着QLC的发展而消失,但QLC的优点却越来越凸显了,毕竟它真的可以做的很“大”!容量上的优势不可抹去,QLC普及推广的洪流也不可遏止,至少,现在PLC还没有影子不是吗?

  新 闻③: 慧荣科技PCIe 5.0 SSD主控SM2508测试能效表现凸显先进制程工艺作用

  近日,TomsHardware对搭载SM2508的PCIe 5.0 M.2 SSD公版进行了 测试 乐竞体育官网,发现能耗方面确实可以达到慧荣科技当初许诺的那样,群联电子(Phison)的E26和英仞科技(InnoGrit)的IG5666,而且性能表现也很好。

  这款采用公版设计的PCIe 5.0 M.2 SSD为M.2 2280外形,采用了PCIe 5.0 x4接口,支持NVMe 2.0规范,加入了DDR4缓存,搭配了铠侠的162层3D TLC NAND闪存 (BiCS6),容量为1TB。其顺序读取和顺序写入速度最高分别为14GB/s和13GB/s,另外随机读取和随机写入最大均为2M IOPS。如果换成2TB或者4TB容量,性能还会有进一步提升,顺序读取和顺序写入速度最高分别为14.5GB/s和14GB/s乐竞体育官网,另外随机读取和随机写入最大均为2.5M IOPS。

  在文件复制测试中,采用SM2508的PCIe 5.0 M.2 SSD比最接近的竞争对手少了近2W的功耗,不过仍然比最好的PCIe 4.0 M.2 SSD多出了大约1W,再次表明了先进制程工艺的重要性。另一方面,虽然闲置功耗表现也不错,但是仍高出PCIe 4.0 M.2 SSD,不过比其他PCIe 5.0 M.2 SSD要低。

  另外,还有一条近期的消息值得一提。在PCIe 4.0时代,慧荣算是最早推出主控芯片的,但最终是起了个大早赶了个晚集,到最后市场上PCIe 4.0固态的主导也是群领,没几款慧荣方案的产品,甚至可以说都不如国产联芸方案的产品多。不过这次慧荣发布的PCIe 5.0新主控,看起来不论是性能还是功耗都要比已经发布的几款优秀不少,再加上AI时代对数据的巨量要求,或许慧荣会更具优势?目前,PCIe 5.0固态都没有几款,慧荣方案或许能够不再掉队?